Власенко О. І. Вплив фотоактивних включень на температурні залежності часу життя нерівноважних носіїв заряду в кристалах CdHgTe / О. І. Власенко, З. К. Власенко // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 9. - С. 1107-1110. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Досліджено температурні залежності часу життя нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) tau у кристалах CdxHg1 - xTe (x = 0,2) з фотоактивними включеннями. Показано, що в неоднорідних кристалах на них накладаються сильні температурні залежності ефективних розмірів рекомбінаційних включень, що й зумовлює N-подібний немонотонний характер експериментальних залежностей tau(Т), пов'язаний зі специфікою міжзонної ударної рекомбінації. Зокрема, в кристалах з рекомбінаційно активними включеннями температурна активація tau в області переходу від домішкової до власної провідності пов'язана не з шоклірідівським, а з міжзонним ударним процесом, при чому ефективні рекомбінаційні геометричні розміри і концентрації цих включень зменшуються з ростом температури. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|