Гаджиев Б. Р. Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2Si2 / Б. Р. Гаджиев // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 12. - С. 1182-1190. - Библиогр.: 17 назв. - рус.У межах феноменологічного підходу показано, що у сполуках типу ThCr2Si2 просторова група симетрії 14 / mmm парамагнітної фази виникає внаслідок структурового фазового переходу з щільнопакованої парафази з групою симетрії Im3m. Знайдено, що реальні магнітні упорядкування в сполуках типу ТhCr2Si2 описуються параметрами переходів, що належать одному напряму, який поєднує точки максимальної симетрії в зоні Брілюена групи I4 / mmm. Показано, що варіації модуля хвильового вектора є наслідком зміни концентрації легуючої речовини. Одержано просторові залежності параметра порядку в неспівмірних фазах для відповідних класів універсальності. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.351
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|