Гасан-заде С. Г. Деградация параметров полупроводниковых структур при термоциклировании и электрическая активность дислокаций в n-CdxHg1-xTe / С. Г. Гасан-заде // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 91-93. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Показано, что деградация параметров полупроводниковых структур п-CdxHg1-xTe и CdxHg1-xTe/CdTe при термоциклировании связана с релаксацией локальных упругих напряжений и, следовательно, генерацией дислокаций. Установлено, что вводимые при низкотемпературной пластической деформации дислокации вызывают рост концентрации электронов и уменьшение их подвижности. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|