Неймаш В. Б. Дефектоутворення в n-кремнії з домішкою олова після опромінення протонами з енергією 61 МеВ / В. Б. Неймаш, А. М. Крайчинський, М. М. Красько, О. О. Пузенко, Е. Сімон, К. Клайз, А. Блонділ, П. Клаус // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 9. - С. 1121-1125. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Методом ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено вплив домішки олова на дефектоутворення в n-Si, вирощеного методом Чохральського (Cz) за умови опромінення протонами з енергією 61 МеВ. Проведено порівняння зі спектрами глибоких рівнів опромінених p+-n-діодів, виготовлених на основі n-Si зонної плавки (FZ) без домішки Sn. Виявлено, що в легованому Sn матеріалі додатково утворюються два радіаційні електронні рівні з енергіями (0,29 +- 0,01) і (0,61 +- 0,02) еВ нижчими за дно зони провідності. Встановлено, що ці центри відпалюються за температури 120 °C. Крім того, встановлено, що швидкості введення киснево-вакансійних комплексів (A-центрів) і дивакансій (V2) значно нижчі в Si з домішкою Sn. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|