Саченко А. В. Екситонний механізм рекомбінації в кремнії та його вплив на фізичні характеристики напівпровідникових структур (Огляд) / А. В. Саченко, А. П. Горбань, В. П. Костильов // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 226-238. - Бібліогр.: 33 назв. - укp.Описано результати досліджень процесів рекомбінації у кремнії в області кімнатних температур за умов великих концентрацій носіїв заряду, які свідчать про істотний вплив на рекомбінацію безвипромінювальної анігіляції екситонів Ваньє - Мотта, що відбувається за механізмом Оже з участю глибоких домішкових центрів. Показано, що цей ефект особливо істотний у кремнії n-типу та призводить до суттєвого зменшення об'ємного часу життя носіїв заряду для рівнів легування, які перевищують 1016 см-3. Проаналізовано вплив екситонних ефектів на характер сонячних елементів і p - n-переходів на базі кремнію. Показано, що цей вплив суттєво збільшується зі зниженням температури. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|