Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур (ГС), сформованих термічним окисленням монокристалічного моноселеніду галію. Отримані ГС фоточутливі у видимій області спектра, що корелює з фоточутливістю чистого GaSe, та в УФ-області, що відповідає фоточутливості Ga₂O₃. Співвідношення видимої та УФ-смуг фоточутливості залежить від режимів термообробки зразків (температури та часу), змінюючи які, можна в широких межах змінювати спектральний розподіл фоточутливості. Запропоновано зонну діаграму гетеропереходу n-Ga₂O₃ - p-GaSe та встановлено механізми переносу носіїв заряду крізь перехід.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"