Сергеева Г. Г. Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП / Г. Г. Сергеева // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 5. - С. 453-456. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Для квазідвовимірних високотемпературних напівпровідників обговорено гіпотезу про флуктуаційну природу напівпровідникового ходу опору rhoc(T), обумовлену зарядовим впорядкуванням і надпровідниковим переходом. Якщо T > T* (T* - температура зарядового впорядкування), - це флуктуації, які упереджують зарядове впорядкування. Якщо T <= Tc0, де Tc0 - температура двовимірного надпровідникового переходу в теорії середнього поля, поява у мідь-кисневій площині областей із сильними надпровідниковими флуктуаціями призводить до суттєвої температурної залежності ймовірності тунелювання заряду tc(T) вздовж осі c^ у нормальному стані. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|