Милославский А. Г. Ионный и электронный перенос в кварце / А. Г. Милославский, А. Н. Сунцов // Физика и техника высоких давлений. - 2000. - 10, № 2. - С. 68-71. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Обсуждены результаты исследований электропроводности монокристалла alpha - SiO2 в направлении, перпендикулярном оси c, в интервале температур 293 - 833 К. Установлен определяющий вклад ионной составляющей в общую проводимость кристалла, которая обусловлена миграцией междоузельных ионов O2-. Электронная составляющая проводимости осуществляется за счет поляронов малого радиуса, мигрирующих по катионам кремния. Получена температурная зависимость диэлектрической проницаемости кристалла в указанном направлении с учетом влияния междоузельных ионов O2-. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|