Новиков Н. В. Исследование зарядового состояния вакансии в облученном электронами алмазе типа Ia методом позитронной аннигиляции / Н. В. Новиков, Т. Д. Оситинская, В. С. Михаленков, А. В. Черняшевский // Сверхтвердые материалы. - 2000. - № 2. - С. 36-42. - Библиогр.: 15 назв. - рус.Для создания вакансионных дефектов алмазный монокристалл типа Ia облучали электронами с энергией 3,5 МэВ последовательно возрастающими дозами: 5 . 1016, 2 . 1017, 4 . 1017 и 2 . 1018 э/см2. До и после каждой дозы образец исследовали комплексом методов, включающих позитронно-аннигиляционную спектроскопию, электронный парамагнитный резонанс и оптическую спектроскопию в видимой и инфракрасной областях спектра. Прямым методом позитронной аннигиляции установлено образование в образце вакансий в нейтральном, и отрицательном зарядовом состояниях. Оценены удельные скорости захвата и поперечные сечения захвата позитронов каждым видом вакансионных дефектов. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|