Показано, что низкотемпературная (в интервале 77 - 300 K) деформация ползучести в Ge и Si сопровождается зарождением и неконсервативным движением дислокаций в тонких приповерхностных слоях. Появление дислокаций в области объемного заряда кремниевого p - n-перехода приводит к резкому возрастанию обратного тока и возникновению значительной шумовой составляющей. Обусловленные дислокациями генерационно-рекомбинационные (gr) центры в Ge и Si снижают время жизни неравновесных носителей заряда. Глубина залегания структурных дефектов, найденная из оптических и электронно-микроскопических наблюдений, хорошо коррелирует с результатами электрофизических измерений.

• Надточий Віктор Анатолійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"