Розглянуто особливості комбінованих детекторів випромінювань сцинтилятор - фотодіод. Проаналізовано параметри p - i - n-фотодіодів. Запропоновано нові конструктивно-технологічні рішення: використання початкового n-кремнію з питомим опором rho = 4 кОм ^. см і часом життя tau_p <= 1000 мкс, застосування сітчастої конструкції фотоприймальної області для зменшення вихідної ємності, проектування охоронних і протиінверсних стопорних кілець, розробку модифікованої технології виготовлення із застосуванням процесу гетерування.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"