Досліджено кінетику росту шарів WSi₂ на межі розділу вольфраму з металевими розплавами, насиченими кремнієм. Застосовано розплава основі міді, срібла та олова. Дослідження було виконано за температур 1200 °C. Встановлено, що шари WSi₂ ростуть, підкоряючись "параболічному" закону, але відповідні константи швидкості росту відрізняються суттєво - від 3,4 ^. 10^-11 м²/с (розплав на основі міді) до 1,5 ^. 10^-13 м²/с (розплави на основі Ag та Sn).

• Скороход Владислав Валерійович (фізико-математичні науки)
• Скороход Валерій Володимирович (1934–2017) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"