Предложена энергетическая модель p - n-перехода, созданного на основе компенсированных полупроводников с большим содержанием электрически активных глубоких r-уровней рекомбинации. Проанализированы механизмы протекания тока при прямом включении в условиях прилипания и рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ) в высокоомной i-области, образованной перекомпенсацией r-уровней. В условиях прилипания даются критерии: а)времена жизни ННЗ tau_n не равны tau_p и функция электронного заполнения r-уровней являются координатно-зависящими величинами; б) вблизи n- и p-областей образуются потенциальные ямы инжектированных носителей, разделенные барьерами. Анализ соответствующей статистики рекомбинации приводит к сложному виду воль-амперной характеристики - наличию участков с коэффициентами неидеальности в интервале 1 < nu <= 2 и nu > 2 - 4.

• Любченко Андрій Володимирович (державне управління)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"