На прикладі кристалів InSe різної товщини з різними концентраціями домішок при різних температурах досліджено такі механізми росту інтегральної інтенсивності екситонної смуги поглинання K_>exc шаруватих кристалів: поляритонний, непрямі фотопереходи, "резонансний екситон" і двовимірні електрони вироджені з екситонною зоною. Для n = 1 екситонної смуги InSe отримано просту аналітичну залежність K_exc від її півширини. Встановлено, що головний внесок у ріст K_exc дає поляритонний механізм. Чисельне припасування мікроскопічної моделі поглинання світла Давидова і Сєрікова до експериментальних результатів привели до кількісного узгодження цієї моделі з реальним поглинанням екситонів. Для кристалів InSe встановлено силу осцилятора екситонного і зона-зонного переходів f_exc = f_ev = 0,11 і параметр екситон-фотонної взаємодії f₀ = 6,8 ^. 10¹³ c^-1.

• Гнатенко Юрій Павлович (технічні науки)
• Жирко Юрій Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"