Теоретически и экспериментально исследован микроплазменный пробой в лавинных диодах на примере диода Шоттки Cr-n-GaAs при наличии микрорельефа на границе раздела хром - арсенид галлия. Показано, что при высоте микрорельефа h < 20 нм преимущественно наблюдается однородный лавинный пробой и хорошее соответствие экспериментального и расчетного значений напряжения лавинного пробоя диода Шоттки (ДШ). При h > 30 нм пробой становится микроплазменным. Показано, что при увеличении уровня легирования базовой области диода усиливается влияние высоты микрорельефа на величину напряжения лавинного пробоя ДШ. Обосновано использование предложенной модели неоднородного лавинного пробоя ДШ для резки p - n-переходов.

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"