РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000033381<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Воробкало Ф. М. Определение концентрации глубоких центров в полуизолирующем GaAs по спектрам поглощения ИК излучения He - Ne-лазера / Ф. М. Воробкало, А. В. Прохорович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 137-141. - Библиогр.: 11 назв. - рус. Предложена методика использования He - Ne-лазера для измерения концентрации глубоких центров хрома или EL2 в полуизолирующем (ПИ) GaAs по спектрам поглощения. Для измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения k(hnu) используется малоинтенсивное некогерентное излучение He - Ne-лазера с линейчатым спектром в области 0,8 - 1,4 эВ. Определена концентрация хрома в ПИ GaAs : Cr и концентрация нейтральных EL20 и положительно заряженных EL2+ центров в ПИ GaAs, содержащем глубокие центры EL2. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.247 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського