Проанализированы особенности методики определения содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs методом низкотемпературной (77К) фотолюминесценции (ФЛ) путем прямого вычисления интегральных интенсивностей углеродной и краевой полос люминесценции по их пиковым интенсивностям и полуширинам. Получены аналитические соотношения, связывающие интегральные интенсивности указанных полос ФЛ с пиковыми интенсивностями углеродной I_са^* и краевой I_i^* полос люминесценции, их полуширинами w_ca и w_i и концентрацией углерода N_C. Приведены калибровочные зависимости N_C = phi(I_са^*w_ca/I_i^*w_i, позволяющие определить содержание углерода в кристаллах ПИН GaAs по данным измерений пиковых интенсивностей углеродной и краевой полос ФЛ и их полуширин.

• Глинчук Костянтин Давидович (1930–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"