Методом електрохімічного травлення отримано гетероструктури поруватий кремній (ПК) - кремнієва підкладка та вільні плівки ПК. Описано неруйнівну методику еліпсометричного визначення ступеня поруватості ПК, яка складається з експериментального вимірювання поляризаційних кутів psi і DELTA, комп'ютерного розв'язку оберненої задачі еліпсометрії та розрахунку ступеня поруватості ПК за співвідношенням Лорентц - Лоренца. Отримані результати порівняно зі значеннями поруватості зразків, визначеними гравіметричним методом; розбіжність не перевищує 10 %. Еліпсометрично визначено залежність комплексного показника заломлення від поруватості Si. Остання носить нелінійний характер і не може бути описана в рамках моделі ефективного середовища. Досліджено фото- та електролюмінесцентні властивості гетероструктур ПК-кремнієва підкладка для однотипних зразків. Інтенсивність видимої люмінесценції залежить від типу Si та умов його обробки. Для спектрів фото- та електролюмінесценції характерні деградаційні процеси, швидші для електролюмінесценції ПК. Ці явища пояснено взаємодією носіїв заряду з випромінювальними центрами фрактальних структур ПК.

• Монастирський Любомир Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"