We report the results of photoluminescence (PL), Raman scattering, and electron paramagnetic resonance studies of SiO₂ films. The films were implanted with Si⁺, or C⁺ ions, or with both types of ions with the following annealing. It is shown that the PL bands from SiO₂ : Si⁺ films at 620 and 740 nm are associated with implantationinduced defects and Si nanocristallites formed by thermal annealing (T >= 1000 °C), respectively. The PL band at 600 nm observed in SiO₂ : C⁺ films after annealing at T >= 600 °C is related to the formation of carbon precipitates. A correlation between the intensity of this band and the shift of a characteristic carbon band in the Raman spectrum is found. The PL band at 450 nm is observed in SiO₂ films implanted with Si⁺ and coimplanted with C⁺ ions. This band can be assigned to SiC nanocrystallites, formed on a long high-temperature thermal annealing.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Братусь Віктор Якович (фізико-математичні науки)
• Гулє Євген Глібович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"