РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000033422<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Валах М. Я. 
Оптичні властивості SiO2-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю / М. Я. Валах, В. О. Юхимчук, В. Я. Братусь, Є. Г. Гулє // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 10. - С. 1065-1069. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.

We report the results of photoluminescence (PL), Raman scattering, and electron paramagnetic resonance studies of SiO2 films. The films were implanted with Si+, or C+ ions, or with both types of ions with the following annealing. It is shown that the PL bands from SiO2 : Si+ films at 620 and 740 nm are associated with implantationinduced defects and Si nanocristallites formed by thermal annealing (T >= 1000 °C), respectively. The PL band at 600 nm observed in SiO2 : C+ films after annealing at T >= 600 °C is related to the formation of carbon precipitates. A correlation between the intensity of this band and the shift of a characteristic carbon band in the Raman spectrum is found. The PL band at 450 nm is observed in SiO2 films implanted with Si+ and coimplanted with C+ ions. This band can be assigned to SiC nanocrystallites, formed on a long high-temperature thermal annealing.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського