Валах М. Я. Оптичні властивості SiO2-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю / М. Я. Валах, В. О. Юхимчук, В. Я. Братусь, Є. Г. Гулє // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 10. - С. 1065-1069. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.We report the results of photoluminescence (PL), Raman scattering, and electron paramagnetic resonance studies of SiO2 films. The films were implanted with Si+, or C+ ions, or with both types of ions with the following annealing. It is shown that the PL bands from SiO2 : Si+ films at 620 and 740 nm are associated with implantationinduced defects and Si nanocristallites formed by thermal annealing (T >= 1000 °C), respectively. The PL band at 600 nm observed in SiO2 : C+ films after annealing at T >= 600 °C is related to the formation of carbon precipitates. A correlation between the intensity of this band and the shift of a characteristic carbon band in the Raman spectrum is found. The PL band at 450 nm is observed in SiO2 films implanted with Si+ and coimplanted with C+ ions. This band can be assigned to SiC nanocrystallites, formed on a long high-temperature thermal annealing. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|