Зінченко В. Ф. Оптичні властивості та іонно-електронна провідність халькошпінелей / В. Ф. Зінченко // Укр. хим. журн. - 1998. - 64, № 8. - С. 91-94. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.Наведено дані про межі областей оптичної прозорості халькошпінелей складу MM2'X4 (M - Zn, Cd, Mn, Eu, Yb; M' - Ga, In, Sb; X - S, Se). Встановлено кореляцію в зміні ширини області прозорості і електроміграційних параметрів халькошпінелей: батохромний зсув супроводжується збільшенням електронної провідності від 10-2 до 10 См/см та зменшенням іонної частки провідності від 95 до 6 % (для EuGa2S4 та CdIn2Se4 відповідно). У випадку халькошпінелей європію встановлено вплив донорно-акцепторної взаємодії на положення короткохвильової межі. Індекс рубрикатора НБУВ: Г4 + Г57
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|