За даними рентгенівської дифракції розраховано криві радіального розподілу атомів і визначено параметри близького порядку: значення міжатомних відстаней, координаційні числа та валентні кути зв'язку. Встановлено, що n_Ga = 3, n_Te > 2 і зі збільшенням концентрації Ga тип структури змінюється від Te-подібної до сітки. Визначені за експериментальними значеннями температурної залежності коефіцієнта теплового розширення, температури склування та мікротвердості значення характеристичної температури Дебая, середньоквадратичних динамічних зміщень атомів, частки флуктуаційного вільного об'єму, коефіцієнтів Пуассона, стисливості, енергії утворення (захлопування) та об'єми мікропустот свідчать про зростання ступеня жорсткості сітки зв'язків у склі та зростання топологічної пухкості структури у цьому випадку.

• Венгренович Роман Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"