Досліджено вплив орієнтуючого електричного поля на аномалії температурної залежності діелектричної проникності epsilon кристалів TlInS₂ і TlGaSe₂, а також піроелектричного струму i в TlInS2 поблизу фазових переходів (ФП). В обох кристалах встановлено ідентичність трансформації профілю epsilon (T) в точці ПФ у несумірну фазу під дією постійного електричного поля, прикладеного в напрямку площини шару. Встановлено, що знак температурних зсувів epsilon (T) в TlGaSe₂ і i(T) TlInS₂ в точці ФП у сумірну полярну фазу зсувається в певному діапазоні орієнтуючих електричних полів і залежить від величини прикладеного постійного електричного поля.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"