Аллахвердиев К. Р. Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле / К. Р. Аллахвердиев, Н. Д. Ахмед-заде, Т. Г. Мамедов, Т. С. Мамедов, Мир-Гасан Ю. Сеидов // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 1. - С. 76-83. - Библиогр.: 19 назв. - рус.Досліджено вплив орієнтуючого електричного поля на аномалії температурної залежності діелектричної проникності epsilon кристалів TlInS2 і TlGaSe2, а також піроелектричного струму i в TlInS2 поблизу фазових переходів (ФП). В обох кристалах встановлено ідентичність трансформації профілю epsilon (T) в точці ПФ у несумірну фазу під дією постійного електричного поля, прикладеного в напрямку площини шару. Встановлено, що знак температурних зсувів epsilon (T) в TlGaSe2 і i(T) TlInS2 в точці ФП у сумірну полярну фазу зсувається в певному діапазоні орієнтуючих електричних полів і залежить від величини прикладеного постійного електричного поля. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|