Із використанням рентгенівської топографії, декорування дефектів міддю, ефекту Холла й інших методик досліджено процеси утворення структурних дефектів у кисневмісних кристалах Si, легованих ізовалентною домішкою Ge (від 5 ^. 10¹⁸ до 2 ^. 10²⁰ см^-3), за різних умов відпалу в температурному інтервалі 450 - 1250 °C. Показано, що домішка Ge сприяє утворенню дефектної структури в таких кристалах, яка слабо проявляється та призводить до появи особливостей у формуванні мікродефектів, а також атмосфер Коттрелла біля ядер дислокацій.

• Бабич В'ячеслав Михайлович (фізико-математичні науки)
• Бабич Вілік Максимович (1938–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"