Гуга К. Ю. Переходные процессы в p+ - p-структурах Ge с анизотропной проводимостью в условиях фотовозбуждения / К. Ю. Гуга, А. Г. Коллюх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 62-67. - Библиогр.: 13 назв. - рус.
Представлены результаты экспериментального исследования переходных процессов в p+ - p-структурах Ge с наведенной магнитным полем анизотропной проводимостью в условиях локального фотовозбуждения. Изучены зависимости величины немонотонности кинетики установления тока от интенсивности света и расстояния светового зонда от антизапорного контакта. Исследовано также координатное распределение стационарного фототока.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"