Вивчено кінетику накопичення центрів забарвлення в монокристалі LiF у процесі опромінення позитронами та gamma-квантами, оптичні властивості утворених дефектів, ступінь локалізації електронів у вакансіях і вплив останніх на процеси атомної релаксації. Встановлено, що в опроміненому кристалі LiF у поверхневому шарі утворюються F₃⁺- та M-центри забарвлення. Із зростанням їх концентрації середній радіус іонів F ^- збільшується на 10 %, а ефективний радіус локалізації електронів в дефектах зростає від 0,042 до 0,052 нм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"