Предлагается фотоприемник, созданный на основе гетероперехода кремний - аморфная углеродная пленка алмазоподобного типа (Si/alpha-C:H). Пленка alpha-С получена методом плазмохимического осаждения при содержании азота в газовой смеси от 0 до 45 %. Изучено влияние азота на электрофизические и фотоэлектрические свойства гетероперехода alpha-C/Si. Показано, что датчик УФ излучения на основе гетероперехода Si/alpha-C имеет широкий диапазон спектральной чувствительности 200 - 1000 нм и высокую монохроматическую чувствительность 0,4 А/Вт на длине волны lambda >= 300 нм при эффективной активной площади элемента 8 мм².

• Борисов Артем Вадимович (історичні науки)
• Борисов Андрій Вікторович (державне управління)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"