Експериментально досліджено анізотропію фоточутливості та позиційну чутливість гетероструктур In₂O₃ - In₄Se₃, створених термічним окисненням монокристалічних зразків In₄Se₃. Виміряно спектральний розподіл фото-ЕРС гетероструктур у різних напрямках поляризації світла відносно кристалографічних осей In₄Se₃. Результати порівняно з даними досліджень анізотропії фотопровідності In₄Se₃ і проаналізовано у припущенні визначальної ролі поверхневої рекомбінації та анізотропії поглинання у формуванні спектрів поляризаційної чутливості. Позиційну чутливість зумовлено зростанням дифузійної довжини нерівноважних носіїв заряду за рахунок розділення їх бар'єрним полем гетеропереходу.

• Савчин Володимир Павлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"