В условиях АМ0 проведен самосогласованный расчет предельной эффективности кремниевых диффузионных солнечных элементов с тонкой базой. При расчете учтены вырождение носителей и сужение запрещенной зоны в сильно легированных областях, топология фронтального контакта, поглощение света свободными носителями. Смоделировано полное поглощение фотоактивного освещения в СЭ. Рассмотрены рекомбинация Шокли - Рида, межзонная излучательная рекомбинация и межзонная рекомбинация Оже. Установлено, что при толщинах n⁺-области, больших 2 ^. 10^-5 см, существует оптимальный уровень ее легирования N approx 10¹⁹ см^-3, при котором достигается максимальная эффективность фотопреобразования. Происходит это из-за изменения соотношения между темпом рекомбинации под контактами и в межконтактных промежутках по мере изменения N. Показано, что в высокоэффективных СЭ с тонкой базой (время рекомбинации Шокли - Рида >= 10^-2 с), в отличие от случая толстой базы, эффективность фотопреобразования вплоть до уровней легирования базы approx 10¹⁷ см^-3 практически постоянна. Показано, что поглощение света свободными носителями в сильно легированных областях может приводить к заметным потерям эффективности фотопреобразования.

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"