Исследована возможность применения метода ортогонализованных плоских волн (ОПВ) для расчета зон проводимости диэлектриков при высоких давлениях. Линейная зависимость векторов базиса становится существенной для сжатого кристалла при учете перекрытия электронных облаков соседних атомов и отказе от приближения жесткого остова. Рассмотрено следствие этой зависимости - паразитные корни (ПК) системы уравнений ОПВ. Даны их основные признаки, исследовано влияние ПК на зонную структуру кристалла. Предложена схема проверки достоверности расчетных моделей, основанных на методе ОПВ. Подтверждена надежность модели, которая наилучшим образом описывает зонную структуру кристалла при сверхвысоких давлениях. Конкретные расчеты для неона в этой модели дают сжатие металлизации u_m = 0,78 +- 0,01.

• Чайка Андрій Володимирович (медичні науки)
• Чайка Анна Володимирівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"