Для експериментального визначення ролі рекомбінаційного і теплового механізмів у виникненні ділянки з від'ємним диференціальним опором на вольт-амперних характеристиках (ВАХ) світлодіодів, охолоджених до температури рідкого азоту, виконано дослідження впливу зміни концентрації глибоких рівнів на форму ВАХ світлодіодів під час електронного опромінення, а також наведено результати безпосереднього вимірювання залежності температури GaP-діодів від прикладеної напруги. Виявлено кореляцію залежностей змін температури діодів і струму крізь них від напруги. Причиною виникнення S-ділянки ВАХ на початковій стадії її розвитку є наявність глибоких рівнів у збідненій області p - n переходу. На кінцевому етапі, коли структура має мінімальний опір, суттєвий вплив на провідність діода має збільшення температури p - n-переходу.

• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"