Зроблено аналіз можливості перерозподілу заряджених точкових дефектів у напівпровіднику, вміщеному в електричне поле. Розглянуто три різні випадки створення поля: а) прикладання напруги до контактів, безпосередньо нанесених на зразок, б) поле конденсатора, в)поле бар'єра Шотткі. Проаналізовано можливості вилучення рухомих донорних дефектів Cd_i з об'єму сульфіду кадмію під дією електричного поля. Показано, що в полях E approx 6 ^. 10⁴ В/см (для зразка одиничної довжини з початковою концентрацією рухомих іонів 10¹⁵ см^-3) концентрація рухомих донорів в об'ємі може бути зменшена на чотири порядки.

• Каширіна Наталія Іванівна (фізико-математичні науки)
• Кислюк Віктор Віталійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"