Оситинская Т. Д. Проявление структуры в алмазе типа Ia, вызванное облучением / Т. Д. Оситинская, В. Н. Ткач, Г. П. Богатырева // Сверхтвердые материалы. - 2000. - № 1. - С. 61-66. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Приведены результаты исследований радиационных дефектов в облученных электронами алмазах методом катодолюминесцентной (КЛ) спектроскопии. Описан эффект проявления структуры в крупном алмазе типа Ia. Представлены КЛ-спектры отдельных зон этого кристалла, а также КЛ-спектры мелких природных и синтетических алмазов типа IIa, IaA/B и IaA, в которых этот эффект не обнаружен. Рассмотрены известные модели дефектов, ответственных за основные линии в КЛ-спектрах этих алмазов. Індекс рубрикатора НБУВ: Л462-101
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|