Новосядлий С. П. Підвищення ефективності локальної ізоляції активних елементів BIC в технології LOCOS / С. П. Новосядлий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 177-185. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.Розроблено високоефективні методи локальної ізоляції елементів великих інтегральних схем (ВІС), що дозволяють підвищити щільність компонування кристалів і зменшити дефектність структур: спейсерна нітридна технологія; локальне травлення оксиду реакцією газу HF та фоторезиста; локальне проокислення легованого імплантацією полікремнію, що забезпечує анізотропне швидке окислення; виключення латеральної дифузії бору в охоронних областях з використанням іонної імплантації Cs+; ізоляція U- або V-подібними канавками із заповненням їх проокисленим полікремнієм, карбідом кремнію, корундом, аеросилом, які також стають гетерними областями для домішок, дефектів і напружень. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|