Розроблено високоефективні методи локальної ізоляції елементів великих інтегральних схем (ВІС), що дозволяють підвищити щільність компонування кристалів і зменшити дефектність структур: спейсерна нітридна технологія; локальне травлення оксиду реакцією газу HF та фоторезиста; локальне проокислення легованого імплантацією полікремнію, що забезпечує анізотропне швидке окислення; виключення латеральної дифузії бору в охоронних областях з використанням іонної імплантації Cs⁺; ізоляція U- або V-подібними канавками із заповненням їх проокисленим полікремнієм, карбідом кремнію, корундом, аеросилом, які також стають гетерними областями для домішок, дефектів і напружень.

• Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"