Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000034084<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Бабич В. М. Роль термодонорів в кристалах Si з підвищеним вмістом домішки кисню у формуванні їх електрофізичних властивостей / В. М. Бабич, П. І. Баранський, Ю. П. Доценко // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 313-317. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Досліджено роль процесів утворення електрично активних термодефектів (термодонорів і термоакцепторів) у формуванні електрофізичних властивостей кисневмісного кремнію. Шляхом підбирання температури відпалу та його тривалості (або комбінації відпалів різної тривалості за різних температур) можна кардинально змінювати електрофізичні властивості (концентрацію, рухливість носіїв струму і відповідно питомий опір) слаболегованих кисневмісних кристалів Si. Зокрема, з використанням як вихідного матеріалу кисневмісних кристалів p-Si, за допомогою відпалів вдається отримати компенсований матеріал n- і p-типів з різним ступенем компенсації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|