Розраховано рівноважні концентрації донорних і акцепторних рівнів у плівках Pb_{1 - x}Sn_xTe в залежності від температури осадження за електрофізичними співвідношеннями в рамках моделі одного переважаючого типу однозарядних дефектів. Уперше за технологічними експериментальними даними визначено зонні характеристики напівпровідникових плівок, які виявились близькими до параметрів об'ємних зразків, що свідчить про адекватність вибраної моделі енергетичного положення і зарядового стану дефектних рівнів. Показано, що у сполуках з малим вмістом олова концентрація дефектів дорівнює концентрації носіїв струму, а у сполуках з великим вмістом - на порядок перевищує. Вперше виявлено, що у процесі напилення плівок Pb_{1 - x}Sn_xTe концентрація основних носіїв струму є сталою для широкого температурного діапазону 420 - 620 К.

• Салій Ярослав Петрович (1961–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"