Исследованы светочувствительные свойства слоев As₄₀Se₆₀ и их применение в голографии. Установлено, что при облучении и отжиге значения оптической диэлектрической постоянной epsilon(0), индекса преломления n и дисперсионной энергии E_d увеличивались, в то время как значения энергии осциллятора E₀ уменьшались. Показано, что за изменения n, epsilon(0), E₀ и E_d, вызванные облучением или отжигом, ответственны фото- и термоиндуцированные процессы, которые обеспечивают хорошую селективность облученных и необлученных участков слоев As₄₀Se₆₀ в различных растворах на основе аминов. Определено, что светочувствительность слоев As₄₀Se₆₀ была порядка ~ 10 см²/Дж, а значения дифракционной эффективности изготовленных голограммных дифракционных решеток в поляризованном свете составляли ~ 90 %.

• Стронський Олександр Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"