Стронский А. В. Светочувствительные свойства слоев As40Se60 / А. В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж, П. Ф. Романенко, С. А. Костюкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 65-71. - Библиогр.: 23 назв. - рус.Исследованы светочувствительные свойства слоев As40Se60 и их применение в голографии. Установлено, что при облучении и отжиге значения оптической диэлектрической постоянной epsilon(0), индекса преломления n и дисперсионной энергии Ed увеличивались, в то время как значения энергии осциллятора E0 уменьшались. Показано, что за изменения n, epsilon(0), E0 и Ed, вызванные облучением или отжигом, ответственны фото- и термоиндуцированные процессы, которые обеспечивают хорошую селективность облученных и необлученных участков слоев As40Se60 в различных растворах на основе аминов. Определено, что светочувствительность слоев As40Se60 была порядка ~ 10 см2/Дж, а значения дифракционной эффективности изготовленных голограммных дифракционных решеток в поляризованном свете составляли ~ 90 %. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 + В379.34
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|