Венгер Є. Ф. Система поверхневих електронних станів реальної та сульфідованої поверхонь GaAs / Є. Ф. Венгер, С. І. Кирилова, В. Є. Примаченко, В. А. Чорнобай // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 1. - С. 77-82. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.Методами температурних та електропольових залежностей поверхневої фото-ЕРС досліджено електронні властивості реальної та сульфідованої поверхонь (100) n-GaAs. Показано, що система поверхневих електронних станів (ПЕС), яка перебудовується на реальній поверхні зі зниженням температури у діапазоні 300 - 100 К, стає стабільною після сульфідування поверхні GaAs. Уперше виявлено, що розподіл щільності ПЕС у забороненій зоні на реальній і сульфідованій поверхнях, який отримано з електропольових залежностей фото-ЕРС, залежить від температури вимірювання. Це зумовлено участю в електропольових вимірюваннях електронних станів, які пересувають як на межі поділу GaAs - поверхнева плівка, так і в самій плівці та на її зовнішній межі. Сульфідування поверхні призводить до зменшення щільності обох видів електронних станів, а також станів, які проявляються як пастки нерівноважних дірок. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|