Павелец С. Ю. Структура CdS сенсора ультрафиолетовой радиации с предельно уменьшенными туннельными токами / С. Ю. Павелец, Ю. Н. Бобренко, М. Н. Кретулис, А. М. Павелец, Т. Е. Шенгелия, Г. И. Шереметова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 48-53. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Для уменьшения шунтирующих туннельных токов через переход Cu1,8S - CdS в процессе изготовления сенсора в приповерхностной области CdS выращен слой высокоомного ZnSe. Приведены результаты сравнительных исследований разработанных структур с известными CdS фотопреобразователями. Исследованы особенности прохождения тока в темноте и на свету. Построены энергетические зонные диаграммы. Высокоомные слои ZnSe, встроенные в области пространственного заряда, снижают туннельные диодные токи более чем на три порядка. Высокая чувствительность структур в УФ области сохраняется при дополнительном выращивании в приповерхностной области промежуточного слоя низкоомного полупроводника. Індекс рубрикатора НБУВ: В347.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|