Для уменьшения шунтирующих туннельных токов через переход Cu_1,8S - CdS в процессе изготовления сенсора в приповерхностной области CdS выращен слой высокоомного ZnSe. Приведены результаты сравнительных исследований разработанных структур с известными CdS фотопреобразователями. Исследованы особенности прохождения тока в темноте и на свету. Построены энергетические зонные диаграммы. Высокоомные слои ZnSe, встроенные в области пространственного заряда, снижают туннельные диодные токи более чем на три порядка. Высокая чувствительность структур в УФ области сохраняется при дополнительном выращивании в приповерхностной области промежуточного слоя низкоомного полупроводника.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"