Досліджено тонкі плівки (0,1 - 1,5 мкм) HgCdTe на підкладках Si(100) та Si(111), вирощені розпиленням монокристалічних і пресованих джерел Hg_{1 - x}Cd_xTe (x = 22) лазерним ІЧ-випромінюванням. Встановлено, що незалежно від типу джерела, температури підкладок (290 - 463 К) і середньої швидкості росту (15 - 25 ангстрем) / c шари мають полікристалічну структуру з переважною орієнтацією (111). Дослідження хімічного складу плівок, отриманих з монокристалічних джерел Hg_{1 - x}Cd_xTe (x = 22), виявили збагачення ртуттю та незмінність складу по всій товщині шару. Концентрація макродефектів (вкраплень) плівок визначається співвідношенням діаметра лазерного променя та глибини утвореного ним кратера. Розмір кристалів майже не залежить від температури підкладки, густини потужності лазерного випромінювання та зростає з товщиною шару.

• Пляцко Сергій Володимирович (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Козирєв Юрій Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"