![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000034451<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Андриевский В. В. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах / В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Ю. Ф. Комник, О. А. Миронов, Т. Е. Волл // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 12. - С. 1202-1206. - Библиогр.: 35 назв. - рус.У гетеропереході Si/Si0,64Ge0,36 з дірковим типом провідності реалізовано ефект електронного перегріву. За допомогою загасання амплітуд осциляцій Шубнікова - де Гааза у разі зміни температури та прикладеного електричного поля знайдено температурну залежність часу електрон-фононної релаксації: taueph = 10-8T-2 с. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В313.223
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|