Досліджено струми термостимульованої деполяризації (ТСД) у кристалах Bi₁₂SiO₂₀, легованих іонами Mn (BSO : Mn) з концентрацією mu = 0,007 + 1 % (вміст - масовий). Вимірювання виконано у діапазонах температур 300 - 800 К, температур поляризації T_p = 300 - 523 К, поляризуючої напруги U_p = 90 - 750 В. Варіювання mu дозволило виділити ряд нових (по відношенню до BSO) низькотемпературних піків струму ТСД, квазінеперервно розподілених щодо енергій активації в діапазоні 0,58 - 1,72 еВ. З аналізу залежностей інтенсивності піків струму ТСД та величини заряду, що накопичується у процесі поляризації, від умов поляризації (T_p, U_p) зроблено висновок про заміну переважаючого механізму поляризації з об'ємно-зарядового на дипольний в міру збільшення концентрації Mn.

• Панченко Тетяна Василівна (політичні науки)
• Панченко Тетяна Василівна (фізико-математичні науки)
• Панченко Тетяна Володимирівна (педагогічні науки)
• Панченко Тарас Володимирович (фізико-математичні науки)
• Панченко Тарас Валентинович (сільськогосподарські науки)
• Карпова Людмила Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"