Виміряно рухливість носіїв у близькій до одновимірної електронної системи над рідким гелієм. Одновимірні провідні канали утворено з використанням кривини поверхні рідкого гелію, що покривав профільовану діелектричну підкладку, і притискуючого електричного поля, яке утримувало електрони на дні рідких "жолобків". Вимірювання проведено в області температур 0,5 - 1,6 К в інтервалі лінійних густин (0,5 - 2,5) ^. 10⁴ см^-1 за умови напруги генератора 2 - 200 мВ. Показано, що для чистої підкладки рухливість електронів визначається їх взаємодією з атомами гелію в парі та риплонами. Для підкладок із зарядом або дефектами на поверхні рухливість електронів зменшується у порівнянні з чистою підкладкою. Частота плазмових коливань, які розповсюджуються в системі провідних каналів, зростає зі зменшенням рухливості електронів. Спостережені ефекти можна пояснити локалізацією в одновимірній електронній системі на випадковому потенціалі та дифузним рухом носіїв з перескоками з одного локалізованого стану в інший.

• Гладченко Сергій Павлович (фізико-математичні науки)
• Соколов Святослав Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"