Гладченко С. П. Транспорт носителей и локализация в одномерной электронной системе над жидким гелием / С. П. Гладченко, В. А. Николаенко, Ю. З. Ковдря, С. С. Соколов // Физика низ. температур. - 2001. - 27, № 1. - С. 3-14. - Библиогр.: 21 назв. - рус.Виміряно рухливість носіїв у близькій до одновимірної електронної системи над рідким гелієм. Одновимірні провідні канали утворено з використанням кривини поверхні рідкого гелію, що покривав профільовану діелектричну підкладку, і притискуючого електричного поля, яке утримувало електрони на дні рідких "жолобків". Вимірювання проведено в області температур 0,5 - 1,6 К в інтервалі лінійних густин (0,5 - 2,5) . 104 см-1 за умови напруги генератора 2 - 200 мВ. Показано, що для чистої підкладки рухливість електронів визначається їх взаємодією з атомами гелію в парі та риплонами. Для підкладок із зарядом або дефектами на поверхні рухливість електронів зменшується у порівнянні з чистою підкладкою. Частота плазмових коливань, які розповсюджуються в системі провідних каналів, зростає зі зменшенням рухливості електронів. Спостережені ефекти можна пояснити локалізацією в одновимірній електронній системі на випадковому потенціалі та дифузним рухом носіїв з перескоками з одного локалізованого стану в інший. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|