Предложена усовершенствованная однотемпературная модель эффекта Ганна в n-GaAs с учетом непараболичности нижней долины зоны проводимости, а также зависимости времени релаксации энергии (электронной температуры), подвижностей электронов в верхней и нижней долинах и отношения плотностей состояний в них от электронной температуры. Предложенная модель проще двухтемпературной и может использоваться при решении многих практических задач.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"