Данильченко Б. О. Фононна спектроскопія двовимірного газу електронів у delta-легованому GaAs / Б. О. Данильченко, О. П. Клімашов, Д. В. Поплавський, О. Г. Сарбей // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 205-213. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|