Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації.

• Клімашов Олексій Павлович (фізико-математичні науки)
• Поплавський Дмитро Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"