Муссил В. В. Формирование дифракционных структур линейно поляризованным лазерным излучением в пленочных системах "металл - аморфный полупроводник" с барьерным слоем / В. В. Муссил, Е. Т. Лемешевская, А. П. Овчаренко, В. В. Пилипенко // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. - 2001. - 3, № 3. - С. 15-22. - Библиогр.: 15 назв. - рус.Наведено результати оптичних і структурних досліджень світлочутливих систем Ag - Pb - халькогенідний склоподібний напівпровідник (Ge - As - Se, Ge - As - S, Ge - P - Se, Ge - P - S). З'ясовано, що оптична густина D в цих системах змінюється оборотно, якщо послідовно опромінювати зразки світлом з області поглинання й області прозорості PbI2 та склоподібного напівпровідника. Встановлено, що в системах Ag - PbI2 - Ge - P(As) - S утворюються дифракційні періодичні структури. Розглянуто деякі властивості таких структур, проаналізовано умови та механізми їх формування. Ключ. слова: трехслойная система, барьерный слой, фотоиндуцированные изменения, халькогенидный стеклообразный полупроводник, дифракционные периодические структуры Індекс рубрикатора НБУВ: З843.392
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|