Власенко А. И. Фотоэлектрические свойства варизонных слоев CdHgTe и р - n-структур на их основе / А. И. Власенко, З. К. Власенко, А. В. Любченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 81-90. - Библиогр.: 19 назв. - рус.В режиме фотопроводимости и фотоЭДС исследованы и проведен анализ спектральных, температурных и амплитудно-частотных характеристик фоточувствительности варизонных слоев CdHgTe, полученных методом парофазной эпитаксии, и p - n-структур на их основе в зависимости от геометрии структур и градиента состава основных компонент. При освещении с широкозонной стороны фоторезистивные и фотодиодные структуры фоточувствительны в широком спектральном диапазоне (1 - 10 мкм) и имеют "провал" фоточувствительности в области 4 - 5 мкм, который связывается с влиянием обогащенной структурными дефектами области металлургической границы. Полученные фотодиодные структуры имели время срабатывания до 10-10 с на длине волны 10,6 мкм. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|