Власенко А. И. Фотоэлектронные процессы в поликристаллических слоях CdxHg1 - xTe на арсениде галлия / А. И. Власенко, В. А. Гнатюк, Е. С. Городниченко, А. В. Ломовцев, П. Е. Мозоль, И. В. Прокопенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 5-16. - Библиогр.: 17 назв. - рус.Исследованы температурные зависимости проводимости, концентрации, подвижности электронов, а также спектры фотопроводимости (ФП) и люкс-амперные характеристики (ЛАХ) поликристаллических слоев Cd0,8Hg0,2Te, выращенных на подложках GaAs. Обсуждены особенности токопереноса и ФП полученных структур CdxHg1 - xTe/CdTe/GaAs. Установлено, что высокая фоточувствительность при T = 300 К и скачок ЛАХ при высоких уровнях возбуждения обусловлены влиянием электрически активных межзеренных границ, создающих потенциальные барьеры для дрейфа и рекомбинации носителей заряда. В рамках барьерной модели полупроводника со случайным потенциальным рельефом показано, что при высоких уровнях возбуждения импульсами излучения рубинового или неодимового лазеров амплитуда потенциальных барьеров на границах зерен понижается из-за экранировки неравновесными носителями заряда. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.141
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|