Исследованы температурные зависимости проводимости, концентрации, подвижности электронов, а также спектры фотопроводимости (ФП) и люкс-амперные характеристики (ЛАХ) поликристаллических слоев Cd_0,8Hg_0,2Te, выращенных на подложках GaAs. Обсуждены особенности токопереноса и ФП полученных структур Cd_xHg_{1 - x}Te/CdTe/GaAs. Установлено, что высокая фоточувствительность при T = 300 К и скачок ЛАХ при высоких уровнях возбуждения обусловлены влиянием электрически активных межзеренных границ, создающих потенциальные барьеры для дрейфа и рекомбинации носителей заряда. В рамках барьерной модели полупроводника со случайным потенциальным рельефом показано, что при высоких уровнях возбуждения импульсами излучения рубинового или неодимового лазеров амплитуда потенциальных барьеров на границах зерен понижается из-за экранировки неравновесными носителями заряда.

• Гнатюк Володимир Анастасійович (1963–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"