Колбасов Г. Я. Фотоэлектрохимические процессы и преобразование солнечной энергии на полупроводниковых соединениях типа AIIIBIV / Г. Я. Колбасов, И. А. Русецкий // Укр. хим. журн. - 2001. - 67, № 7-8. - С. 59-63. - Библиогр.: 26 назв. - рус.Вивчено фотоелектрохімічні процеси на GaAs- та InP-електродах. Встановлено, що в полісульфідній системі відбувається адсорбція іонів S2-, що зменшує поверхневу рекомбінацію фотогенерованих носіїв заряду. Визначено концентрацію адсорбованих сульфід-іонів C = 0,2 . 1013 - 1,1 . 1013 см-2 в електроліті, а також концентрацію поверхневих рекомбінаційних центрів на GaAs та InP Nt = (2 - 4) . 109 см-2. Для збільшення електрокаталітичної активності InP на його поверхню наносився нанорозмірний шар CdS. Показано, що за умови високої інтенсивності освітлення ККД фотоперетворення на цих електродах досягає 20 - 23 %. Індекс рубрикатора НБУВ: Г552.7
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|