Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000034932<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Тулупенко В. М. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (lambda approx 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (lambda approx 50...200 мкм) областей спектра / В. М. Тулупенко; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 35 c. - укp.Показано переваги конфігурації полів Фогта перед конфігурацією Фарадея - для лазера на міжпідзонних переходах дірок у схрещених електричному і магнітному полях у германії, і схрещених напрямків одноосьового тиску і електричного поля перед збіжними напрямами останніх - для внутрішньоцентрової інверсії дірок у одноосьово деформованому германії. Теоретично і експериментально обгрунтовано пропозицію щодо утворення лазера на міжпідрівневих переходах носіїв струму у системі вертикально пов'язаних квантових точок і спеціально сконструйованих тунельно-пов'язаних квантових ям. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2,022 + В379.24-4,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА306824 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|