Досліджено вплив атомарного кисню на поверхню As/Si(001) напівемпіричним методом MNDO-PM3. Розраховано поверхню енергії адсорбції для атома кисню на грані As/Si(001). На ній знайдено три екстремуми (мінімуми) енергії. Ці мінімуми відповідають утворенню місткових зв'язків типу As - O - As, As - O - Si та Si - O - Si. Показано, що найвигіднішим є утворення з атомарним киснем містка Si - 0 - Si. Досліджено геометричну структуру дефекту типу "траншея", який може утворюватись відсутнім димером As на поверхні Si(001)/As, і енергію взаємодії з ним кисню. Виявилось, що найвигіднішим є вбудовування атома кисню у залишковий димер кремнію в "траншеї" з утворенням містка Si - O - Si.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)
• П'ятницький Масим Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"